本申請實施例提供一種字線電阻測試方法、裝置、設備、存儲介質及程序產品,該字線電阻測試方法包括:向與待測試字線連接的存儲單元中寫入第一數據,并在所述待測試字線激活預設時間后,讀取所述存儲單元中存儲的數據,其中,所述預設時間小于所述存儲單元對應的標準行地址激活時間;根據所述存儲單元中存儲的數據,確定所述待測試字線的電阻是否合格。在向存儲單元寫入數據后,通過較短的行地址激活有效時間進行存儲數據的讀取,基于所讀取的數據與所寫入數據是否一致,實現對字線電阻的測試,測試成本低、準確度高,通過字線電阻測試,有效避免了DRAM因字線電阻偏大而導致讀寫失效。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)