本發明提供一種基于復合介質柵MOSFET的全局曝光光敏探測器,包括由多個探測單元構成的陣列,每個探測單元包括感光晶體管、電荷存儲晶體管和讀取晶體管,或者每個探測單元包括感光晶體管、電荷轉移晶體管、電荷存儲晶體管和讀取晶體管;其中,感光晶體管用以實現光敏探測器的感光功能,電荷存儲晶體管用以實現光生電荷的存儲,讀取晶體管用以實現信號的讀取,電荷轉移晶體管用以控制光生電荷的轉移。本發明的探測器無需機械快門,可實現全局曝光與快速讀取的功能,與現有浮柵CMOS工藝兼容,制造技術成熟,易于實現,由探測單元構成的陣列與周邊電路整合性高,可大幅縮小芯片體積,且任何一個像素的失效不會影響整個成像陣列的正常工作。
聲明:
“基于復合介質柵MOSFET的全局曝光光敏探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)