本發明提供了一種三維MOS存儲芯片的樣品制備方法及樣品觀測方法,所述芯片上包含失效地址、第一參考點和第二參考點;在所述芯片標上覆蓋所述第一參考點的第一記號和覆蓋所述第二參考點的第二記號;先研磨第一邊側面至所述第一記號處,研磨第二邊側面至所述第二記號處;再對所述芯片進行平面樣品制備,根據電子束裝置拍出的圖像將所述芯片切到所述失效地址所在層。在使用透射電鏡對制備出的樣品進行觀測時,從第一參考點沿垂直所述第一參考點所在側邊方向數出第一距離,從第二參考點沿垂直所述第二參考點所在側邊數出第二距離,兩者的交叉點即失效地址的單元結構。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)