本發明提供了一種片上嵌入式Flash的內建自測試結構,包括自定義控制模塊、FBIST控制器、ERASE模塊和BYPASS模塊,當FBIST控制器使能后,FBIST控制器發起操作,依據內部控制器狀態機與自定義控制模塊和ERASE模塊的相互配合,實現對其地址、讀寫的序列操作和擦除切換,并將讀出結果與片上比較器進行測試結果比對,輸出結果表征信號,測試結束時,測試完成標識跳高;實現了對FLASH的內部訪問以及測試結果比較,外部僅需一個測試啟動信號和控制器時鐘信號,在測試結束后通過測試完成標志位與測試失效標志位表征測試結果,可以掌握FLASH的失效地址、算法執行狀態、讀寫狀態以及輸出數據信息,從而為進一步的故障定位提供依據,實現芯片級或系統級嵌入式FLASH的內建自測試。
聲明:
“片上嵌入式Flash的內建自測試結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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