一種預測半導體器件壽命終點時NBTI動態漲落的方法,包括:通過對半導體器件進行測試,獲取半導體器件在壽命終點時的失效幾率;通過對多個半導體器件進行測試,獲取某工作電壓VG對應的特征失效幾率;求出不同VG下在壽命終點時閾值電壓的退化量ΔVth的均值在不同器件之間的方差,以及ΔVth的方差在不同器件之間的方差,以及不同VG對應的特征失效幾率;對應大于等于0且小于1的特征失效幾率的工作電壓VG即滿足半導體器件10年壽命的工作電壓VDD;這樣,在半導體器件壽命終點時的NBTI動態漲落就可以表征出來。本發明提供了納米尺度半導體器件壽命終點時的NBTI動態漲落有效的預測方法。
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