本發明提出一種采用測試針卡進行DRAM晶圓測試的方法,避免了由于測試針卡異常造成的量產滯后問題,并同時降低了量產的成本。本發明的測試方案包括以下步驟:1)晶圓起測;2)確定測試針卡中需要保護的關鍵探針,依次單獨進行有關所述關鍵探針的測試項;若某一測試項未通過,則關斷相應的失效芯片電源,然后對其他芯片繼續進行下一測試項,直至完成所有的測試項;3)功能測試,即執行DRAM的各種功能測試項;4)測試結束。
聲明:
“采用測試針卡進行DRAM晶圓測試的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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