本發明揭露了一種MOS晶體管器件柵氧化層完整性(GOI)測試的方法,包括以下步驟:提供一測試電源;將多個待測MOS晶體管器件分別連接于所述測試電源;檢測此時所述MOS晶體管器件漏電流;當所述漏電流突然變化時,開啟偵測裝置,檢測所述MOS晶體管器件上的失效點。利用該方法,還可以在對MOS晶體管器件進行柵氧化層可靠性的測試時,特別是采用并行時間相關電介質擊穿(TDDB)測試時,不僅可以評估待測器件的壽命,而且可以同步且及時而精確反映待測MOS晶體管器件柵極氧化層上失效點的具體情況,從而對器件進行進一步的失效分析。
聲明:
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