本申請公開了一種鍺硅工藝中顆粒缺陷的檢測方法,屬于半導體制造技術,該方法包括:提供一硅襯底,所述硅襯底上制作有帶有側墻的柵極結構;在所述柵極結構兩側的區域制作溝槽;在溝槽內生成鍺硅外延層;通過薄膜淀積工藝生長間隙層,所述間隙層在所述鍺硅外延層的上方;檢測顆粒缺陷,所述顆粒缺陷由生成所述鍺硅外延層的工藝造成;解決了在鍺硅當站因機臺檢驗極限的限制,極微小顆粒缺陷的檢出率不高的問題;達到了提高顆粒缺陷的檢出率,降低了檢驗失效率和成本損失的效果。
聲明:
“鍺硅工藝中顆粒缺陷的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)