本發明涉及半導體缺陷分析技術領域,尤其涉及一種缺陷分析方法,通過在去除待測半導體結構的金屬結構之后,于阻擋層上沉積一層與該阻擋層的材質原子序數相差較大的襯度對比層,之后再進行常規的透射電鏡樣品制備,并采用透射電鏡對透射電鏡樣品進行觀察以對阻擋層進行缺陷分析,由于阻擋層上覆蓋有與該阻擋層的材質原子序數相差較大的襯度對比層,從而在透射電鏡中能夠清晰的觀察阻擋層的缺陷,進而準確的進行缺陷分析;因此本發明這種主動提高透射電鏡圖像襯度分析微小缺陷的方法,可以進一步的擴展微小缺陷失效分析的能力,進而為制程工藝提供更好的技術支持。
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