本發明公開了一種半導體器件失效檢測方法,用于對所述半導體器件的柵極與源極之間進行短路檢測,所述半導體器件至少包括:襯底、在所述襯底上層疊排列的多層柵極層、在所述襯底上表面分立分布的多個源極區、所述襯底的接觸栓塞和所述柵極層的接觸栓塞;其中,所述襯底與所述源極區之間形成PN結;所述方法包括以下步驟:在所述襯底的接觸栓塞與所述柵極層的接觸栓塞之間加電壓,測量流過所述襯底的接觸栓塞與所述柵極層的接觸栓塞的電流值;基于所述電流值的測量結果,判斷所述半導體器件的柵極與源極之間是否短路。
聲明:
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