本實用新型公開了一種抑制電源噪聲的晶體振蕩器失效檢測電路,包括dummy支路,失效檢測模塊,晶體振蕩器;利用主振蕩電路的dummy支路產生參考電壓VREF,作為失效檢測模塊的參考電壓,與晶體振蕩器的輸入引腳信號XI_OUT比較得到失效檢測判斷結果。第一NMOS管M1所在的支路是晶體振蕩器振蕩提供電流的主要支路,第二NMOS管M0所在的支路是dummy支路;第一電流源I1和第二電流源I0是一組匹配的電流鏡結構,第一NMOS管M1和第二NMOS管M0是一組匹配的NMOS管,使得第一NMOS管M1和第二NMOS管M0具有相同的VDS。本發明利用主振蕩電路的dummy支路產生參考電壓進行失效檢測判決,VREF=VDS+R0*I0參考電壓隨工藝角變化,使得失效檢測結果取決于R0*I0的大小,因此工藝角變化不會影響失效檢測判決結果。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)