本發明公開了一種基于ANSYS的MMC子模塊壓接式IGBT短期失效分析方法,包括以下步驟:步驟一、利用ANSYS的Simplorer得到MMC子模塊壓接式IGBT在工況下的損耗;步驟二、利用ANSYS的SpaceClaim,進行IGBT模型的建立;步驟三、通過ANSYS的Icepak以及Simplorer對步驟二得到的IGBT模型進行Foster網絡的提??;步驟四、將步驟一計算得到的損耗,導入到步驟三提取的Foster網絡中,得到IGBT內部各位置的實時溫度變化情況。本發明能夠抓住短時間尺度下MMC子模塊壓接式IGBT失效的主要因素,逐步得到工況下IGBT內部溫度的精確分布情況。
聲明:
“基于ANSYS的MMC子模塊壓接式IGBT短期失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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