本發明公開了一種應用于NVM芯片的失效位圖分析方法,該方法從芯片外部由具有位圖分析功能的測試儀輸入HV信號,測試芯片的擦除、編程、讀取功能,用位圖分析方法進行分析,存儲單元陣列中,缺陷附近的行或列在位圖中表現為讀取錯誤,遠離缺陷的行或列在位圖中表現為讀取正確,根據位圖反映的缺陷特征信息分析失效機理和定位失效位置。本發明通過改進常規的失效位圖分析方法,將HV信號由芯片內部Pump電路模塊產生改為由芯片外部測試儀輸入,從而在NVM存儲陣列全部存儲單元Read失效的情況下,得到了失效芯片的具有缺陷特征的位圖信息,不僅突破了常規位圖分析方法的限制,而且大大提高了位圖分析定位的有效性和適用范圍。
聲明:
“應用于NVM芯片的失效位圖分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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