本發明關于一種半導體器件的失效分析方法,其包括步驟:去除半導體器件背面的銅層;對半導體器件背面的硅層進行減??;及使用微光顯微鏡(Emission?Microscope,EMMI)和/或鐳射光束誘發阻抗值變化測試(OBIRCH)電性定位設備定位半導體器件背面的失效點。本發明半導體器件的失效分析方法通過通過對半導體器件的背面進行除銅、硅層減薄及失效點定位,節約了時間,提高了效率及成功率。
聲明:
“半導體器件的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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