一種用于半導體器件失效分析的檢測方法,包括:利用聚焦離子束,對產生有缺陷的半導體器件剖面進行磨削,以改變源/漏區的表面性狀;利用腐蝕處理溶液,對所述半導體器件的剖面進行腐蝕,以顯露出源/漏區的結剖面形貌;利用放大成像裝置得到對應所述半導體器件的剖面的圖像資料,觀察所述圖像資料以獲取所述半導體器件所產生的缺陷的分布情況。本發明通過聚焦離子束磨削和腐蝕處理溶液腐蝕相結合,獲得易于觀察的半導體器件的源/漏區的結剖面形貌,提供判斷器件是否失效的依據。
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