本發明主要涉及一種用于釹鐵硼磁體的鍍膜設備及鍍膜工藝,專用鍍膜設備的基本原理為雙層輝光等離子表面冶金,其主要特征結構包括真空室,真空室中部平行等距且相互絕緣的源極和陰極,源極和陰極外的隔熱柵,真空室上方的陽極,真空室下方的氬氣入口以及真空室后方的真空系統,真空室外的測溫系統;表面生成的金屬膜層厚度均勻且金屬靶材的利用率高,整個鍍膜過程中溫度相對偏低,對磁體的損害較小,可控性強,無污染,對人體無損害,設備結構簡單,靶材限制性小。
聲明:
“用于釹鐵硼磁體的鍍膜設備及鍍膜工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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