本發明公開了一種基于MOSFET測量結溫的方法及其裝置,用于測量器件在規定環境溫度下和規定工作條件下的結溫,所述器件包括一第一輸入端、一第二輸入端、一第一輸出端和一第二輸出端,方法包括如下步驟:獲取初始電壓;獲取規定工作條件下第一輸出端對第二輸出端上消耗的功率;對第二輸出端和第一輸出端施加與上步相等的功率;獲取終測電壓;計算器件在所述規定環境溫度下和所述規定工作條件下的結溫。本發明的技術方案屬于無損傷結溫測試,可以有效的避免器件自身時間延時對測試準確度的影響,可測量器件任意工作環境下真實結溫,實施方法簡單、易行、適合工程應用并且對測試設備依賴程度較低。
聲明:
“基于MOSFET測量結溫的方法及其裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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