本發明提供了在線測試半導體器件襯底的方法,包括:在半導體器件襯底上形成低K介電材料,在低K介電材料表面形成頂部介質阻擋層,再在低K介電材料和頂部介質阻擋層中刻蝕出溝槽,然后在溝槽中填充金屬;進行第一次化學機械研磨工藝,使填充的金屬頂部與溝槽頂部齊平,從而得到低K介電材料表面覆蓋有介質阻擋層的互連層結構,作為待測半導體器件襯底;對低K介電材料表面覆蓋有介質阻擋層的待測半導體器件襯底執行在線測試;在線測試中填充的金屬頂部表面生成氧化物;進行第二次化學機械研磨工藝,去除填充的金屬表面生成的氧化物和低K介質材料表面的頂部介質阻擋層。本發明確保在線測試后得到沒有氧化膜的互連結構和無損傷的低K介電材料。
聲明:
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