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InSb晶片損傷層深度的測試方法

1088   編輯：管理員   來源：中冶有色網  
2023-03-19 08:58:33
本發明公開了一種InSb晶片損傷層深度的測試方法，所述方法包括：測量InSb晶片的重量M以及厚度H；在InSb晶片的第一面設置隔離膜，并測量具有隔離膜的InSb晶片的重量M1；對具有隔離膜的InSb晶片進行腐蝕，并對腐蝕后的InSb晶片進行半峰寬測試；當半峰寬測試值趨于穩定，測量半峰寬測試值趨于穩定的InSb晶片的重量M2，并根據h＝(M1?M2)×H/M計算InSb晶片損傷層深度h。采用本發明，通過對InSb晶片進行腐蝕，利用半峰寬值與損傷層剝離深度的關系來定量的測定的損傷層的深度，從而實現InSb晶片中包含應力層在內的損傷層的定量測定，以滿足后續各個工藝所要求的InSb晶片最優去除量，提高InSb晶片材料的利用率和加工效率，獲得無損傷的InSb晶片、為提升紅外探測器的性能提供了理論依據和科學指導。
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“InSb晶片損傷層深度的測試方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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