本發明公開了一種基于典型缺陷特征的KDP晶體損傷閾值預測方法,實施步驟包括:預先建立KDP晶體各種典型表面缺陷的光熱弱吸收水平與損傷閾值的對應關系;針對待測KDP晶體的表面缺陷進行特征檢測確定典型缺陷類型;針對典型表面缺陷區域進行光熱弱吸收測量實驗得到典型表面缺陷的光熱弱吸收值,將典型缺陷類型、典型表面缺陷的光熱弱吸收值代入KDP晶體各種典型缺陷的光熱弱吸收水平與損傷閾值的對應關系,得到典型表面缺陷的損傷閾值。本發明無損KDP晶體即可進行損傷閾值估計,可避免損傷閾值測試方法的缺陷,不會對晶體造成損傷,提高晶體的利用率,節省加工成本,還能夠提升KDP晶體的表面缺陷、用于指導KDP晶體加工工藝。
聲明:
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