基于隱退化的金屬封裝功率MOSFET貯存可靠性檢測技術,其步驟如下:1.確定金屬封裝功率MOSFET溫度循環加速貯存試驗方案;2.建立金屬封裝功率MOSFET隱退化模型;3.估計金屬封裝功率MOSFET隱退化模型參數;4.評估溫度循環加速貯存條件下金屬封裝功率MOSFET貯存可靠性及貯存壽命;5.評估實際貯存條件下金屬封裝功率MOSFET貯存可靠壽命。本發明為金屬封裝功率MOSFET提供一種貯存可靠性及貯存壽命的無損檢測技術,可推廣至其它氣密封裝產品的貯存可靠性檢測,提高了氣密封裝產品的貯存可靠性檢測水平。
聲明:
“基于隱退化的金屬封裝功率MOSFET貯存可靠性檢測技術” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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