本發明公開了一種基于單對電極電容成像檢測技術的開口缺陷多提離數據庫量化方法,涉及無損檢測信號處理領域,包括:基于模型仿真并插值構建帶被測試件材料屬性的欲量化開口缺陷深度h和寬度d與多提離下單對電極電容成像檢測缺陷畸變率ΔC關系,根據對已知尺寸缺陷的實驗檢測結果修正模型和實驗的關系,利用未知缺陷檢測結果呈現的多提離下畸變率特征以反演開口缺陷深度h和寬度d,以實現單對電極電容成像用于開口缺陷的定量化檢測。本發明通過仿真建立數據庫,實驗修正數據庫,最后再應用于實驗量化中,實驗表明該方法合理有效且具有較高的量化精度,為缺陷的三維重構提供精確的缺陷二維量化尺寸以最終結合蛇形面掃描數據實現缺陷三維重構。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)