本發明提供了用于確定在某些半導體器件,例如高壓橫向雙擴散金屬氧化物半導體(HVLDMOS)晶體管中摻雜濃度的一種方法。在將該器件施加一個反向偏置電壓V的同時,利用一束輻射能量(例如通過一個顯微鏡聚焦到該器件上的一束激光)沿該器件的長度方向掃描。所得的輻射束感生電流信號用于測量給定偏置電壓V下的耗盡層寬度W,該寬度W隨著偏置電壓V的升高而增大。根據一組電壓值V和對應的寬度值W,利用一個適合的數學算法可以確定相應的摻雜濃度ND的分布。
聲明:
“無損測量半導體器件的漂移區的摻雜濃度和分布的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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