本發明屬于半導體集成電路制造技術領域,具體為一種快速無損測量石墨烯薄膜厚度與能隙的方法。本發明首先利用橢圓偏振技術得到薄膜的橢偏數據;然后根據所測薄膜的結構建立合適的理論模型,對得到的橢偏數據進行分析和擬合,得到所測石墨烯薄膜的厚度與能帶結構。本發明大大簡化了以往超薄薄膜厚度測試的復雜性、降低了利用其它技術工藝實施的困難程度,在22納米后大規模集成電路制造中具有重要應用價值。
聲明:
“快速無損測量石墨烯薄膜厚度與能帶結構的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)