本發明提供了用于無損測量一個半導體器件中少數載流子擴散長度(Lp),進而測量少數載流子壽命(Op)的一種方法。該方法包括以下步驟:將一個待測試半導體器件反向偏置,用一束聚焦輻射能量沿該半導體器件的一段長度進行掃描,當輻射束沿該半導體器件的掃描長度段逐點掃描時檢測該輻射束在半導體器件中感生的電流,以生成一個信號波形(Isignal),并根據測得的Isignal波形確定該半導體器件中少數載流子的擴散長度(Lp)和/或少數載流子的壽命(Op)。
聲明:
“半導體器件少子擴散長度和少子壽命的無損測量方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)