本發明公開的用于ZnO單晶物理參數的無損檢測方法主要是基于點缺陷弱束縛電子跳躍電導的介電弛豫效應:高頻下弱束縛電子的輸運僅限于晶胞內,主要表現為介電弛豫;低頻下弱束縛電子的輸運可跨越耗盡層,甚至整個晶粒,主要表現為電導過程,此時介電弛豫效應將達到飽和;根據介電常數發生改變的拐點所對應的頻率就能推算耗盡層、晶粒的幾何尺寸;測試過程主要以介電譜為主表征耗盡層厚度和晶粒尺寸,同時通過模量譜對低頻電導和高頻弛豫信息進行確診,并通過阻抗譜獲得非均勻各部分的阻抗參數。本發明用于ZnO單晶物理參數的無損檢測方法具有操作簡便、無損及誤差小的優點。
聲明:
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