本發明涉及半導體材料測量設備領域,具體涉及一種用于無損檢測半導體薄膜霍爾效應的基片及其制備方法。本發明是在拋光基底上沉積圖形化的絕緣膜層,之后在圖形化區域內填充內電極、外電極及引線。當測試半導體薄膜霍爾效應時,內電極上表面與被測薄膜下表面形成歐姆接觸,霍爾效應儀探針與外電極接觸,外電極和內電極由引線導通。因此可避免霍爾效應儀探針直接與被測薄膜表面接觸,實現無損測試。
聲明:
“用于無損檢測半導體薄膜霍爾效應的基片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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