本實用新型涉及一種PN接面及包含其的半導體薄膜組件,及包含所述的半導體薄膜組件的光電感測模塊及其廣泛用途。所述的PN接面包含P型銅銦鎵硒半導體薄膜層及N型銅銦鎵硒半導體薄膜層,所述的N型銅銦鎵硒半導體薄膜層由銅銦鎵硒等元素構成,其中銅相較于銦的莫耳數比在1.1至1.5的范圍內且具有化學式Cu(InxGa1?x)Se2,其中x的數值在0.6至0.9的范圍內。制備所述的PN接面的方法使用四元靶材、為干式制程、無須硒化處理且可將所述的PN接面制作于可撓性基板上。
聲明:
“PN接面及包含其的半導體薄膜組件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)