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大功率放電管芯片制造工藝

993   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:57:04
本發明屬于芯片制造技術領域,尤其是一種大功率放電管芯片制造工藝,針對現有的放電管芯片制作方式復雜,且制作芯片漏電流高,電容值高,高溫反偏性能弱,抗浪涌能力弱的問題,現提出如下方案,其包括以下步驟:S1:擴散前處理;S2:氧化;S3:單向光刻;S4:低溫氧化;S5:離子注入;S6:氧化表面處理;S7:光刻處理;S8:測試,所述S1中準備并采用N型單晶硅片,通過酸、SC3#配方清洗工序,對硅片表面進行化學處理。本發明設計成正面TSS,背面TVS與AK系列TVS合并封裝成一種保護器件,漏電流低,電容值低,高溫反偏性能強,抗浪涌能力強。
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