本發明公開了一種基于二維碲化鎵材料場效應管的真空退火方法,用于解決現有方法制備的基于二維GaTe材料場效應管的遷移率低的技術問題。技術方案是在現有二維GaTe場效應管構筑工藝的基礎上,引入高真空退火過程(10?5Pa)。由于在高真空環境下氣體分子濃度極低,促使吸附在溝道材料表面以及溝道材料與金屬電極界面處的氧氣分子、水分子向環境中擴散,有效阻止了化學吸附導致的溝道材料本征物性的退化以及表面吸附分子對載流子的散射,有效地提高了二維GaTe場效應管的遷移率。經測試,本發明制備的基于二維GaTe材料場效應管的遷移率由背景技術的0.2cm2V?1s?1提高至3.4?4.5cm2V?1s?1。
聲明:
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