本發明提供一種2.5D封裝結構的制備方法,將去除底部金屬層的工藝放置在最后,以使底部金屬層能夠隔離去除第二支撐襯底時激光照射對封裝結構特別是芯片的影響,從而保護2.5D封裝結構保護所述芯片,提高2.5D封裝芯片可靠性測試的成功率及成品率;底部金屬層易于形成和去除,不會增加封裝成本,工藝簡單有效;半導體襯底的第二表面經過化學機械研磨,提高了半導體襯底的平整度,既能提高后續封裝中多個界面的結合強度,也可降低底部金屬層與TSV導電柱的接觸電阻;TSV導電柱、連接焊盤及金屬凸塊位于同一垂線上,可有效地減小電阻減小信號的延時。
聲明:
“2.5D封裝結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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