本發明公開了一種太陽能電池背場激光PN隔離工藝,包括步驟:前清洗制絨、擴散、PN隔離、后清洗、等離子體增強化學氣相沉積法沉積氮化硅、絲網印刷燒結、測試分選;所述PN隔離采用激光刻蝕,具體方法是:在太陽能電池的背面,利用光纖激光器以100~120mm/s的刻線速率圍繞硅片的背面表面進行邊緣刻槽,所述刻槽離硅片的邊緣距離為0.5mm,刻槽深度為10~15μm,從而實現PN隔離。本發明使用激光隔離代替傳統的濕法刻蝕工藝,并且對傳統激光刻蝕的工藝進行了改善,完全可以滿足太陽能電池生產過程中去除邊緣PN結的工藝需求。
聲明:
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