本發明提供一種在半導體結構中消除凸點效應的方法,該方法通過分別利用雙氧水和He等離子體清洗經過化學機械研磨平坦化處理過的基片表面,以除去殘留的有機物和金屬微粒,然后依次在清洗過的基片表面形成金屬粘附層和超低k介電層,通過UV固化處理后形成多孔超低k介電層。利用掃描電鏡測試最終形成的半導體結構,證明了本發明的方法消除了傳統工藝中表面容易出現的凸點效應,提高了半導體器件的良率。
聲明:
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