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制備Si基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕工藝

1179   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:56:36
本發明公開了一種制備Si基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕工藝。工藝包括探測器芯片的襯底減薄拋光和清洗、芯片保護、襯底氧化層腐蝕、襯底選擇性濕法腐蝕四個步驟,本發明的特征在于:將化學機械減薄拋光后的Si基碲鎘汞芯片襯底朝上貼于寶石片上并固化,將制好的樣品放入氫氟酸中去氧化層,再將其放入高選擇比腐蝕液中進行腐蝕。本發明的特點在于:能獲得襯底完全去除的碲化鎘/碲鎘汞外延薄膜材料和光亮的碲化鎘界面,為從碲化鎘界面入手研究探測器芯片中位錯提供了方便。
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“制備Si基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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