本發明涉及一種Eu離子摻雜鹵氧化鉍半導體光學防偽材料,屬于光學防偽材料技術領域。本發明光學防偽材料的化學通式為Bi3?xEuxO4M;其中x=0.001~0.3,M為元素F、Cl、Br的一種或多種。本發明提供的稀土Eu離子摻雜的鹵氧化鉍半導材料中的Eu3+發光特征對激發光波長、強度、溫度具有超敏感的響應特性,且物理化學性質穩定,制備方法簡單、原材料成本低;該材料有望作為高敏感光學防偽材料、紫外探測器,溫度傳感器器,光伏鐵電材料,光機械材料傳感材料到應用。
聲明:
“Eu離子摻雜鹵氧化鉍半導體光學防偽材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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