本發明公開了一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法,屬于無機半導體納米材料制備領域。該Mn摻雜單層WS2二維晶體的制備方法為:以MnO2、NaCl、WO3、S為原料,在三溫區管式爐里面以Si/SiO2為基底,通過化學氣相沉積的方式制備得到Mn摻雜單層WS2二維晶體。本實驗室生長的本征WS2形貌多為規則的正三角形,Mn摻雜后的WS2樣品的光學圖像出現明顯的襯度差,并且會有部分不規則的多角形出現。本發明操作簡單,成本低廉,對儀器設備要求低,合成的樣品化學及熱力學穩定性好。所制備的樣品在電子、傳感器、探測器等光電及稀磁半導體方面有著巨大的應用前景。
聲明:
“錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)