采集以與通過基于化學氣相沉積法的析出進行生長而得到的多晶硅棒的長軸方向垂直的截面作為主面的板狀試樣,對采集的全部板狀試樣的面內的全部方向進行X射線衍射測定,選擇、、及中任意一個的密勒指數均未觀察到具有偏離于平均值±2標準偏差(μ±2σ)的衍射強度的X射線衍射峰的多晶硅棒作為無取向性的多晶硅棒,將其作為單晶硅制造用原料使用。使用這樣的多晶硅原料時,能夠抑制在局部發生部分熔融殘留,有助于單晶硅的穩定的制造。
聲明:
“多晶硅棒的選擇方法及單晶硅的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)