一種半導體制造裝置,其包括:處理室,其用期望的化學液來處理晶片的被處理膜;膜厚度測量單元,其測量處理前的被處理膜的初始膜厚度和處理后的被處理膜的最終膜厚度;以及主體控制單元,其由初始膜厚度、最終膜厚度以及從初始膜厚度直到最終膜厚度所占用的化學液處理時間以計算出化學液的處理速度,以便由算出的處理速度計算出下一個待處理的晶片的化學液處理時間。根據本發明的實施方式,不管形成于基板上的被處理膜的初始膜厚度因每個基板而如何有差異,每個基板上的被處理膜的殘余膜都可一致。
聲明:
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