一種單溫區開管擴鎵生產晶閘管方法,屬于電力 半導體器件生產工藝。在單溫區擴散爐里對經高溫 氧化后的硅片進行開管擴鎵。擴散時利用干H2從 固態Ga2O3里通過化學反應攜帶出元素鎵,憑借著 對源溫、片溫、H2氣體流量、摻雜時間的控制,使硅片 一次完成摻雜元素鎵。本工藝使用設備簡單,操作方 便;擴散參數可控、可調、可檢;抗玷污能力強,便于推 廣。用于晶閘管的生產中,可大幅度提高該類產品的 等級合格率和動態特性。
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