本發明涉及基于全二維半導體材料的雙極性光電晶體管及其制備方法和應用,其采用微機械剝離法、化學/物理氣相沉積法在SiO2/Si襯底上制備全二維過渡金屬硫族化物(TMDs)半導體層,在半導體層的兩端制備Ti/Au電極,隨后在TMDs溝道的局部位置沉積介質層;之后對未覆蓋介質層的TMDs溝道進行P型摻雜,獲得雙極性N?P?N或P?N?P的器件結構。本發明采用全二維TMDs,通過化學局部摻雜的辦法獲得了雙極性光電晶體管結構,解決了純TMDs探測器中響應速度慢、靈敏度低等問題,實現了高達103的光增益、響應時間在ms量級、探測率接近1012瓊斯,其性能可比于商用的Si基探測器,同時制備方法簡單,技術成熟,成本低廉,非常有利于商業化推廣。
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“基于全二維半導體材料的雙極性光電晶體管、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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