本發明涉及一種p-n型納米CuO/α-Fe2O3復合半導體材料的制備方法,并將其應用于氣體傳感器領域。采用化學沉淀法制備出純態α-Fe2O3,再采用沉積-沉淀法制備出納米CuO/α-Fe2O3復合半導體材料。本發明的CuO/α-Fe2O3復合半導體氣敏材料制備技術簡單,設備要求不高,成本低廉,所制備的氣敏材料隨著CuO含量的增大,Cu原子逐漸進入到α-Fe2O3晶相中;球形顆粒的粒徑大小為10~20nm。所制備材料可實現在室溫下對硫化氫氣體的有效檢測,在50℃和100℃下均對一氧化碳氣體快速響應,具有較大的應用前景。
聲明:
“p-n型納米CuO/α-Fe2O3復合半導體材料的制備及其作為氣體敏感材料的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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