本發明公開了一種基于表面SiO2改性的高選擇性氫氣傳感器。它以二甲基二乙氧基硅烷為硅源,利用化學氣相沉積技術在SnO2氣體傳感器表面沉積一層致密SiO2層而得到。本發明提供的高選擇性氫氣傳感器選擇性大幅提高,可有效降低乙醇、丙酮等大分子氣體對氫氣的干擾。氫氣檢測靈敏度高,對氫氣的響應值最大為140左右,工作溫度最低可達到200℃。
聲明:
“基于表面二氧化硅改性的高選擇性二氧化錫氣體傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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