本發明公開了一種表面內嵌微納結構增透層的可見光LED芯片及制備方法,通過在襯底上逐層形成緩沖層、N型層、量子阱層、P型層和微結構增透層,然后在P型層和微結構增透層上形成透明導電層,微結構增透層為TiO2,或TiO2/SiO2復合膜,或TiO2/SiO2多層膜;通過利用TiO2對可見光高透且良好的化學穩定性,利用低折射率的SiO2與高折射率的TiO2材料進行膜層結構光學設計與分析,在達到折射率要求的同時,兼顧透射率的要求,結合微納模板及刻蝕技術在表面形成內嵌式微納結構增透層,再覆蓋兼具電流擴展及增透作用的透明導電層,制備得到的LED,其表面光提取效率大大提升,發光效率明顯改善。
聲明:
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