本發明提出的一種減少淺溝槽隔離缺陷的工藝方法,該工藝步驟如下:1)進行有源區氧化物沉積,氮化硅(SIN)沉積,形成襯底;2)進行淺溝槽隔離(STI)刻蝕;3)進行淺溝槽隔離(STI)內襯氧化物層沉積;4)進行含氮的等離子體處理;5)進行淺溝槽隔離(STI)高密度等離子體沉積;6)進行透射電鏡(TEM)空洞檢測;7)如檢測結果不符合要求,則對工藝參數進行調整,再次實施步驟(5)淺溝槽隔離(STI)高密度等離子體沉積;如檢測結果符合要求,則確認工藝參數,確定工藝流程。本發明的工藝方法可縮短高密度等離子體化學氣相淀積(HDPCVD)填充淺溝槽隔離(STI)的工藝調整周期,非常適于實用。
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