本發明公開了一種基于水蒸氣的二維過渡金屬硫屬化合物轉移方法,主要解決先現有技術工藝復雜且易于化學污染的問題。其實現方案是:1)使用化學氣相沉積CVD方法在生長基片上生長二維材料薄膜;2)用等離子體激活超薄碳膜Cu網作為目標載體;3)利用水蒸氣在二維材料與襯底表面蒸鍍一層水層;4)用酒精將襯底表面的二維材料沖洗到超薄碳膜Cu網表面;5)將超薄碳膜Cu網在熱板上加熱烘干固化,完成從生長基片到超薄碳膜Cu網的轉移。本發明工藝簡單靈活,無需刻蝕犧牲層,耗時短、效率高,轉移過程中無化學污染,可用于推廣以二維過渡金屬硫屬化合物為代表的其他二維材料的轉移和分析過程中。
聲明:
“基于水蒸氣的二維過渡金屬硫屬化合物轉移方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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