本發明公開聚吡咯表面修飾硅納米線氣敏元件及其應用,利用化學刻蝕處理單晶硅片,以使單晶硅片表面產生垂直于單晶硅片表面的一維硅納米線陣列;將引發劑溶液和吡咯單體溶液先后旋涂在經步驟2處理的單晶硅片,以使在一維硅納米線陣列中原位引發吡咯聚合成聚吡咯,形成具有聚吡咯表面修飾一維硅納米線陣列的單晶硅片,實現對NH3氣體在室溫下的瞬時檢測,并且具有良好的選擇性。
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