本發明提供的一種高響應度的表面增強拉曼散射活性基底及其制備方法,制備包括具有多孔溝壑表面的Ⅲ-Ⅴ半導體基底和分布在所述基底上的Au納米顆粒的表面增強拉曼散射活性基底,包括步驟:對基底表面進行刻蝕處理,形成粗糙的表面;通過電化學沉積法在具有多孔溝壑結構的基底表面沉積Au納米顆粒。該制備方法不僅方法簡單,成本低廉,易于實現;而且,通過該方法制備的表面增強拉曼散射活性基底中無納米顆粒團聚現象,且具有很高的電場強度和光生載流子壽命和較高的拉曼信號強度,從而使其具有較高的重復利用率和檢測靈敏度,進而可以用于超低分子濃度SERS檢測中,使其具有較廣的使用范圍。
聲明:
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