本發明屬于基本電器元件領域,具體的說,本發明提供了一種三維點陣納米結構電極及其制備方法。采用各種手段,包括物理、化學或電化學的方法制備與加工納米功能材料是近來納米制備技術的前沿領域。傳統方法在電極表面制作電聚合高分子膜,一般使用一步法完成,該一步法可以是恒電流電解過程,也可以是恒電位電解過程。這樣制備得到的電聚合高分子膜呈現的是網絡狀的平面展開的結構,不具有三維點陣立體結構的特征?;诙嗖胶汶娏麟娊饧夹g,本發明提供了一種的三維點陣納米高分子有序膜及其制備方法。該三維膜的比表面遠大于傳統方法得到的高分子膜。因此,本發明的電極可有效用于制備高通量的芯片,檢測、鑒定待測物中目的分子的含量。
聲明:
“三維點陣納米結構電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)