本發明公開了一種大規模小像元銦鎵砷焦平面探測器制備方法,具體步驟如下:1)淀積氮化硅擴散掩膜,2)開擴散窗口,3)閉管擴散,4)生長P電極,5)快速熱退火,6)開N槽,7)淀積氮化硅鈍化膜,8)開P、N電極孔,9)生長加厚電極,10)金屬化,11)生長銦柱。本發明的優點在于:1、制備工藝更簡單,首先生長P區電極的工藝方法,降低光刻偏差和過刻蝕可能導致的P區電極與N區InP材料之間的導通風險;2、引入感應耦合等離子體化學氣相沉積(ICPCVD)技術生長低溫氮化硅鈍化膜,芯片的表面鈍化層結構致密,降低工藝過程對材料表面造成的損傷,改善表面鈍化效果;3、金屬化區域和銦柱區域一體化光刻生長技術,降低器件的接觸電阻。
聲明:
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