本發明公開了一種非晶ZnSnO薄膜晶體管型紫外探測器及其制備方法。所述的非晶ZnSnO薄膜晶體管型紫外探測器包括:低阻Si為襯底,同時為柵極;SiO2薄膜為絕緣層;非晶ZnSnO薄膜為溝道層;Al薄膜為源極和漏極。非晶ZnSnO薄膜采用溶液法制備,將Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3分別溶解于二甲氧基乙醇溶劑中,加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驅體溶液,經攪拌、混合、陳化后形成溶膠,直接旋涂于襯底上,并進行退火處理,得到非晶ZnSnO薄膜。非晶ZnSnO薄膜化學式為ZnxSn1-xO,其中0< x< 1;薄膜厚度為100~200nm,可見光透過率> 80%。
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